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      德國(guó)siegert wafer晶圓 —赫爾納貿(mào)易
      更新時(shí)間:2025-05-22   點(diǎn)擊次數(shù):631次

      供應(yīng)德國(guó)siegert wafer晶圓8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

      —赫爾納貿(mào)易

      供應(yīng)德國(guó)siegert wafer晶圓,貨期短,支持選型,為您提供一對(duì)一解決方案在中國(guó)設(shè)有8個(gè)辦事處,可為您提供售前、售中和售后服務(wù)。

       

      siegert wafer晶圓介紹:

      我們?yōu)榇髮W(xué)、研究實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)界提供硅晶圓。我們的客戶(hù)受益于我們?cè)诎雽?dǎo)體行業(yè)多年的經(jīng)驗(yàn)。這對(duì)于為相應(yīng)應(yīng)用提供產(chǎn)品至關(guān)重要。

      除了之外,您當(dāng)然還會(huì)在我們的產(chǎn)品組合中找到小批量生產(chǎn)的 熔融石英、硼浮法和其他玻璃、藍(lán)寶石SOI 晶圓制成的基板。

      得益于我們的大型倉(cāng)庫(kù),我們可以隨時(shí)快速回復(fù)您的詢(xún)問(wèn)。在這里您可以查看我們的庫(kù)存。除了標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品外,我們還可以根據(jù)您的要求提供特殊基材。

      作為經(jīng)驗(yàn)豐富的硅片供應(yīng)商,我們幾乎可以為您提供您需要的任何規(guī)格。在我們這里,您將找到來(lái)自直拉 (CZ) 和浮區(qū) (FZ) 培養(yǎng)工藝的高純度威化餅。

      個(gè)別規(guī)格通常也可以小批量實(shí)施。我們保證為您提供解決方案——通常甚至有庫(kù)存!即使是單個(gè)晶圓也可以在內(nèi)部潔凈室中分離。

       

       

      siegert wafer晶圓產(chǎn)品分類(lèi):

      硅晶片

      硅錠

      玻璃晶圓

      SOI晶圓

      藍(lán)寶石晶片

      掩模坯料

       

       

      siegert wafer晶圓應(yīng)用:

      半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

      光伏產(chǎn)業(yè)

      電子消費(fèi)產(chǎn)品制造

      化學(xué)

      實(shí)驗(yàn)室樣品制備

       

      siegert wafer晶圓介紹

      典型晶圓規(guī)格:

      2 英寸(50.8 毫米)
      3 英寸(76.2 毫米)
      100 毫米
      125 毫米
      150 毫米
      200 毫米
      300 毫米

      等級(jí)

      Prime

      Test

      Monitor

      Dummy

      Reclaim

      生長(zhǎng)
      CZ (直拉法)
      FZ-HPS (區(qū)熔法,超純硅)
      FZ-NTD (區(qū)熔法,中子嬗變摻雜)
      FZ-GD (區(qū)熔法,氣體摻雜)

      類(lèi)型/摻雜劑
      P/B(硼)
      N/Ph(磷)
      N/Sb(銻)
      N/As(砷)
      未摻雜
      本征(僅 FZ)

      方向
      <100>
      <111>
      <110>

      電阻率
      0.001 - 50,000 歐姆-厘米

      厚度
      100 - 8,000 µm

      表面處理
      單面拋光 (SSP)
      雙面拋光 (DSP)
      切割
      研磨
      蝕刻

      扁平/凹槽 半
      標(biāo)準(zhǔn)
      單扁平
      Jeida 扁平
      凹槽
      無(wú)(圓形)

      Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10介紹

      直徑200mm±0.2mm

      材料:硅

      生長(zhǎng)方向:FZ

      等級(jí):prime

      類(lèi)型/摻雜劑:內(nèi)在/未摻雜

      方向:<100> ±0.5°

      電阻率:>10,000 Ohm-cm

      度:450 ±15 µm

      表面光潔度:雙面拋光

      1, SEMI-Std.

      TTV<10 µm

      Bow<40 µm

      Warp<40 µm

      顆粒≥0.3µm<20

      生命周期:>1000µs

      包裝:Cassettes

       

       

      siegert wafer晶圓主要型號(hào)

      Si-Wafer 4P0/1-5/525±20/SSP/TTV<5

      Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/450±15/DSP/TTV<10

      Si-Wafer 8"/intrinsic/<100>/FZ/>10k/725±15/DSP/TTV<10


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